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Resistencia de los Contactos

Las pérdidas por la resistencia de los contactos ocurren en la interfaz entre la célula solar de silicio y el contacto metálico. Para mantener las pérdidas por los contactos superiores bajas, la capa superior de N+ debe estar lo más dopada posible. Sin embargo, un alto nivel de dopaje crea otros problemas. Si se difunde un alto nivel de fósforo en el silicio, el exceso de fósforo se encuentra en la superficie de la célula, creando una "capa muerta", donde los portadores generados por la luz tienen pocas posibilidades de ser recogidos. Muchas células comerciales tienen una respuesta al "azul" pobre debido a esta "capa muerta". Por lo tanto, la región bajo los contactos debe estar fuertemente dopada, mientras que el dopaje del emisor está controlado por el balance entre conseguir una baja corriente de saturación en el emisor y mantener una longitud de difusión elevada del emisor.

contact

Puntos de pérdida debido a la resistencia de los contactos en la interfaz entre las líneas de la malla y el semiconductor.

En las células solares comerciales impresas por serigrafía, la resistencia de los contactos varía a través de la oblea. La física del recocido de la pasta de plata es bastante complicada, por lo que pequeñas diferencias en la topología de la superficie y el calentamiento local causan grandes variaciones en la calidad de la unión La resistencia de los contactos de una célula solar se puede medir de diferente maneras. Un método popular es polarizar la célula en el punto máximo de potencia y luego medir las caídas de voltaje a lo largo de la célula 1. El método puede ser automatizado para producir un mapa del dispositivo que muestra las regiones de resistencia de los contactos mayores.

Mapa de una gran área de células solares impresas por serigrafía. Debido a unas condiciones de procesamiento no optimizadas, las partes de la célula en el centro tienen una mayor resistencia de los contactos.