La combinación de las ecuaciones para pérdidas resistivas permite determinar la pérdida de potencia total en la malla de contacto superior. En la siguiente simulación gráfica se ajustan los diferentes parámetros y se determina la pérdida de potencia total. Para un tipo de célula típica, digamos una celda impresa por serigrafía, la resistividad del metal será fija y la anchura del dedo se controla con la serigrafía. Los valores típicos para la resistividad específica de la plata son 3 × 10-8 Ω m 1. Para los dedos no rectangulares, el ancho se ajusta a la anchura real y se utiliza una altura equivalente para obtener el área transversal correcta. La simulación no incluye la pérdida de contacto entre el metal y el semiconductor o las pérdidas resistivas en las barras colectoras.
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- 1. «Series resistance characterization of industrial silicon solar cells with screen-printed contacts using hotmelt paste», Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 15, pp. 493-505, 2007.