硅的光学特性在 300K 1下测量。虽然此处给出了很宽的波长范围，但硅太阳能电池通常只能在 400 至 1100 nm 范围内工作。 Green 20082中有一组更新的数据。pvlighthouse 提供表格形式的文本和图形格式。
此页面上的数据也可作为Excel 电子表格使用。
硅的吸收系数（以 cm-1 为单位）与波长的函数关系。硅是一种间接带隙半导体，因此对长波长的吸收存在长尾。数据以对数刻度绘制。带隙（约 1100 nm）处的吸收下降比最初出现的要更加急剧。另请参见吸收系数。
吸收深度是吸收系数的倒数。例如，1 um 的吸收深度意味着光强度已降至其原始值的 36% (1/e)。另请参见吸收系数。
300 K 时硅折射率的实部和（负）虚部。
抛光硅片的反射率由复折射率确定。
上图的数据如下。如上所述，它还可以在更方便的 Excel 电子表格中使用。
W - 波长
a - 吸收系数
n - 折射率的实数分量
k - 消光系数
折射率 = n - ik
W(nm) a(/cm) n k 250 1.84E+06 1.694 3.666 260 1.97E+06 1.800 4.072 270 2.18E+06 2.129 4.690 280 2.36E+06 3.052 5.258 290 2.24E+06 4.426 5.160 300 1.73E+06 5.055 4.128 310 1.44E+06 5.074 3.559 320 1.28E+06 5.102 3.269 330 1.17E+06 5.179 3.085 340 1.09E+06 5.293 2.951 350 1.04E+06 5.483 2.904 360 1.02E+06 6.014 2.912 370 6.97E+05 6.863 2.051 380 2.93E+05 6.548 0.885 390 1.50E+05 5.976 0.465 400 9.52E+04 5.587 0.303 410 6.74E+04 5.305 0.220 420 5.00E+04 5.091 0.167 430 3.92E+04 4.925 0.134 440 3.11E+04 4.793 0.109 450 2.55E+04 4.676 0.091 460 2.10E+04 4.577 0.077 470 1.72E+04 4.491 0.064 480 1.48E+04 4.416 0.057 490 1.27E+04 4.348 0.050 500 1.11E+04 4.293 0.045 510 9.70E+03 4.239 0.039 520 8.80E+03 4.192 0.036 530 7.85E+03 4.150 0.033 540 7.05E+03 4.110 0.030 550 6.39E+03 4.077 0.028 560 5.78E+03 4.044 0.026 570 5.32E+03 4.015 0.024 580 4.88E+03 3.986 0.023 590 4.49E+03 3.962 0.021 600 4.14E+03 3.939 0.020 610 3.81E+03 3.916 0.018 620 3.52E+03 3.895 0.017 630 3.27E+03 3.879 0.016 640 3.04E+03 3.861 0.015 650 2.81E+03 3.844 0.015 660 2.58E+03 3.830 0.014 670 2.38E+03 3.815 0.013 680 2.21E+03 3.800 0.012 690 2.05E+03 3.787 0.011 700 1.90E+03 3.774 0.011 710 1.77E+03 3.762 0.011 720 1.66E+03 3.751 0.010 730 1.54E+03 3.741 0.009 740 1.42E+03 3.732 0.008 750 1.30E+03 3.723 0.008 760 1.19E+03 3.714 0.007 770 1.10E+03 3.705 0.007 780 1.01E+03 3.696 0.006 790 9.28E+02 3.688 0.006 800 8.50E+02 3.681 0.005 810 7.75E+02 3.674 0.005 820 7.07E+02 3.668 0.005 830 6.47E+02 3.662 0.004 840 5.91E+02 3.656 0.004 850 5.35E+02 3.650 0.004 860 4.80E+02 3.644 0.003 870 4.32E+02 3.638 0.003 880 3.83E+02 3.632 0.003 890 3.43E+02 3.626 0.002 900 3.06E+02 3.620 0.002 910 2.72E+02 3.614 0.002 920 2.40E+02 3.608 0.002 930 2.10E+02 3.602 0.002 940 1.83E+02 3.597 0.001 950 1.57E+02 3.592 0.001 960 1.34E+02 3.587 0.001 970 1.14E+02 3.582 0.001 980 9.59E+01 3.578 0.001 990 7.92E+01 3.574 0.001 1000 6.40E+01 3.570 0.001 1010 5.11E+01 3.566 - 1020 3.99E+01 3.563 - 1030 3.02E+01 3.560 - 1040 2.26E+01 3.557 - 1050 1.63E+01 3.554 - 1060 1.11E+01 3.551 - 1070 8.00E+00 3.548 - 1080 6.20E+00 3.546 - 1090 4.70E+00 3.544 - 1100 3.50E+00 3.541 - 1110 2.70E+00 3.539 - 1120 2.00E+00 3.537 - 1130 1.50E+00 3.534 - 1140 1.00E+00 3.532 - 1150 6.80E-01 3.530 - 1160 4.20E-01 3.528 - 1170 2.20E-01 3.526 - 1180 6.50E-02 3.524 - 1190 3.60E-02 3.522 - 1200 2.20E-02 3.520 - 1210 1.30E-02 3.528 - 1220 8.20E-03 3.516 - 1230 4.70E-03 3.515 - 1240 2.40E-03 3.513 - 1250 1.00E-03 3.511 - 1260 3.60E-04 3.510 - 1270 2.00E-04 3.508 - 1280 1.20E-04 3.507 - 1290 7.10E-05 3.506 - 1300 4.50E-05 3.504 - 1310 2.70E-05 3.503 - 1320 1.60E-05 3.501 - 1330 8.00E-06 3.500 - 1340 3.50E-06 3.498 - 1350 1.70E-06 3.497 - 1360 1.00E-06 3.496 - 1370 6.70E-07 3.495 - 1380 4.50E-07 3.493 - 1390 2.50E-07 3.492 - 1400 2.00E-07 3.491 - 1410 1.50E-07 3.490 - 1420 8.50E-08 3.489 - 1430 7.70E-08 3.488 - 1440 4.20E-08 3.487 - 1450 3.20E-08 3.486 -
- 1. , “Optical properties of intrinsic silicon at 300 K”, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 3, pp. 189 - 192, 1995.
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