氮化硅的抗反射涂层通常使用化学气相沉积工艺（CVD）来沉积。将硅烷 (SiH4) 和氨 (NH3) 等前体气体送入反应室，并因温度 (LPCVD) 或等离子体增强 (PECVD) 而分解。其他系统使用微波引起硅烷/氨反应发生。完整反应为：
3SiH 4 + 4NH 3 -> Si 3 N 4 + 12H 2
但通常的反应是通过掺入大量氢 (SixNy:H) 来产生非化学计量薄膜。
较旧的电池设计使用二氧化钛 (TiO2)，它可以提供良好的抗反射涂层，并且更易于应用，但不提供表面或整体钝化。
经沉积的硅片有氮化硅抗反射涂层，呈现蓝色。
抗反射涂层机从装料到卸料的全过程。