基础公式

泊松方程

其中 E 是电场,ρ 是电荷密度,ε 是材料电容率。该方程给出了电荷和电场强度之间的基本关系。在半导体中,我们将电荷分为四个部分:空穴密度,p,电子密度,n,受主原子密度,NA 和施主原子密度,ND

对于理想二极管推导,假设 NA p 区恒定,在 n 区为零。类似地,假定 NDn 区域中为常数,在 p 区域中为零。

传输方程

 

其中 Jn 是电子电流密度,μn 是电子迁移率,Dn 是电子扩散率。类似地,Jp 是空穴电流密度,μp 是空穴迁移率,Dp 是空穴扩散率。q 是电子电荷,E 是电场强度。请注意,在本节中电场强度我们使用 E, E^ E 可互换。这是一个错误,我们应该保持一致并坚持使用 E

传输方程描述了载流子如何移动,即载流子或电流的流动。使用电流密度 J(A/cm2)比绝对电流 I(A)更容易,因为我们并不关心器件的面积。 I = J × 面积,对于 1 cm2 设备,J I 相等。

每个方程中的第一项用于漂移 ,第二项用于扩散

连续性方程

连续性方程跟踪所有载流子的运动、生成和复合。它们有时被称为“簿记”方程,因为它们确保每个载流子都被考虑在内。

一般情况

$$\frac{d n}{d t}=\frac{1}{q} \frac{d J_{n}}{d x}-(U-G)$$

$$\frac{d p}{d t}=-\frac{1}{q} \frac{d J_{p}}{d x}-(U-G)$$

其中 U 是复合率, G 是生成率。

太阳能电池在稳态下运行,我们不关心暂态或切换时间。在热平衡和稳态条件下,载流子浓度并不随时间变化,因此:

dn dt = dp dt =0

重新排列上面的方程可得出:

$$\frac{1}{q} \frac{d J_{n}}{d x}=U-G$$

$$\frac{1}{q} \frac{d J_{p}}{d x}=-(U-G)$$

总结

我们现在有五个基本方程需要解:

$$\frac{1}{q} \frac{d J_{n}}{d x}=U-G \quad \frac{1}{q} \frac{d J_{p}}{d x}=-(U-G)$$

这些方程很容易使用数值方法求解1,并且有许多设备模拟器可以用来求解。通过进行一些近似,还可以求解方程的解析解,如下页所述。