泊松方程
Poisson's Equation
其中 E 是电场,ρ 是电荷密度,ε 是材料电容率。该方程给出了电荷和电场强度之间的基本关系。在半导体中,我们将电荷分为四个部分:空穴密度,p,电子密度,n,受主原子密度,NA 和施主原子密度,ND。
对于理想二极管推导,假设 NA 在 p 区恒定,在 n 区为零。类似地,假定 ND 在 n 区域中为常数,在 p 区域中为零。
传输方程
Transport Equations
其中 Jn 是电子电流密度,μn 是电子迁移率,Dn 是电子扩散率。类似地,Jp 是空穴电流密度,μp 是空穴迁移率,Dp 是空穴扩散率。q 是电子电荷,E 是电场强度。请注意,在本节中电场强度我们使用 E, 可互换。这是一个错误,我们应该保持一致并坚持使用 E 。
传输方程描述了载流子如何移动,即载流子或电流的流动。使用电流密度 J(A/cm2)比绝对电流 I(A)更容易,因为我们并不关心器件的面积。 I = J × 面积,对于 1 cm2 设备,J 和 I 相等。
连续性方程
连续性方程跟踪所有载流子的运动、生成和复合。它们有时被称为“簿记”方程,因为它们确保每个载流子都被考虑在内。
一般情况
$$\frac{d n}{d t}=\frac{1}{q} \frac{d J_{n}}{d x}-(U-G)$$
$$\frac{d p}{d t}=-\frac{1}{q} \frac{d J_{p}}{d x}-(U-G)$$
其中 U 是复合率, G 是生成率。
太阳能电池在稳态下运行,我们不关心暂态或切换时间。在热平衡和稳态条件下,载流子浓度并不随时间变化,因此:
重新排列上面的方程可得出:
$$\frac{1}{q} \frac{d J_{n}}{d x}=U-G$$
$$\frac{1}{q} \frac{d J_{p}}{d x}=-(U-G)$$
总结
我们现在有五个基本方程需要解:
Poisson's Equation
Transport Equations
$$\frac{1}{q} \frac{d J_{n}}{d x}=U-G \quad \frac{1}{q} \frac{d J_{p}}{d x}=-(U-G)$$
这些方程很容易使用数值方法求解1,并且有许多设备模拟器可以用来求解。通过进行一些近似,还可以求解方程的解析解,如下页所述。
- 1. , “Numerical modeling of textured silicon solar cells using PC-1D”, Electron Devices, IEEE Transactions on, vol. 37, pp. 337 -343, 1990.