寿命的瞬态和准稳态光电导衰减测量是一般方程1的限制情况。
在瞬态测量的情况下，光脉冲仅用于激发载流子，并且在实际测量期间关闭，因此 G(t) = 0。对于 QSS 测量，假设光变化非常缓慢，因此d(Δn)/dt = 0。
当闪光和硅片具有相似的时间常数时，方程的广义形式非常有用。
参考电池和载流子密度下的光照
少数载流子寿命（无俄歇校正）与载流子密度
- 1. , “Generalized analysis of quasi-steady-state and quasi-transient measurements of carrier lifetimes in semiconductors”, Journal of Applied Physics, vol. 86, pp. 6218-6221, 1999.