El factor de idealidad del diodo es una medida de cómo de cerca el diodo sigue la ecuación del diodo ideal. La derivación de la ecuación simple del diodo utiliza una cierta suposición acerca de la célula. En la práctica, hay efectos de segundo orden por el que el diodo no sigue la ecuación simple del diodo y el factor de idealidad proporciona una manera de describirlos.
Mecanismos de recombinación
La ecuación ideal del diodo asume que toda recombinación se produce vía de banda a banda o de recombinación a través de trampas en el volumen del dispositivo (es decir, no en la union). Usando esa suposición, la consiguiente derivación produce la ecuación ideal del diodo ideal de abajo y el factor de idealidad, n, es igual a uno.
Sin embargo, la recombinación ocurre de otras maneras y en otras áreas del dispositivo. Estas recombinaciones producen factores de idealidad que se alejan del ideal. Si se deriva la ecuación ideal del diodo considerando el número de portadores que tienden a juntarse durante el proceso se producen los resultados de la siguiente tabla.
| Tipo de recombinación | Factor de Idealidad | Descripción |
|---|---|---|
| SRH, banda a banda (inyección de bajo nivel) | 1 | Recombinación limitada por portadores minoritarios |
| SRH, banda a banda (inyección de alto nivel) | 2 | Recombinación limitada por ambos tipos de portadores. |
| Auger | 2/3 | Dos portadores mayoritarios y uno minoritarios se requieren para la recombinación. |
| Región de agotamiento (Unión) | 2 | Dos portadores limitan la recombinación. |
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